熔斷器應(yīng)與配電裝置同時(shí)進(jìn)行維修工作：1）清掃灰塵，檢查接觸點(diǎn)接觸情況；2）檢查熔斷器外觀（取下熔斷器管）有無損傷、變形，瓷件有無放電閃爍痕跡；3）檢查熔斷器，熔體與被保護(hù)電路或設(shè)備匹配，如有問題應(yīng)及時(shí)調(diào)查；4）注意檢查在TN接地系統(tǒng)中的N線，設(shè)備的接地保護(hù)線上，不允許使用熔斷器；5）維護(hù)檢查熔斷器時(shí)，要按安全規(guī)程要求，切斷電源，不允許帶電摘取熔斷器管。電容元件=壓快速熔斷器的主要部件，起著對(duì)地絕緣，改善電場(chǎng)分布以及支撐的重要作用，田此對(duì)其絕緣性能的要求是極為嚴(yán)格的．元件的技術(shù)要求除工頻耐壓試驗(yàn)外，還要進(jìn)行介質(zhì)損失率正切值(簡稱介損)tgQ的測(cè)量和泄漏電流的測(cè)量。單根電容元件的tgQ值不得大于2％(溫度20℃，電壓10kV)。電容元件tgQ的大小直接影響快速熔斷器的絕緣性能相使用壽命。如果電容元件的tg6過大不但浪費(fèi)電能，在一些特定情況下有可能而造成惡性事故。福建省泉州供電局一臺(tái)Dw8—35型多種高壓熔斷器電容會(huì)管的介損達(dá)6.5％，在電流速斷動(dòng)作跳問的同時(shí)發(fā)生=就是一個(gè)典型的事例．因此每臺(tái)快速熔斷器出廠,投運(yùn)或檢修后都必須進(jìn)行元件的tgQ測(cè)量，達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)后才能出廠或通電遠(yuǎn)行。介質(zhì)損失率tgQ表示該絕緣材料在交流電場(chǎng)下能量損耗的一個(gè)參數(shù)，是外施正弦電壓與通過介質(zhì)的電流之間的相角的余角的正切。介質(zhì)損耗使流過電介質(zhì)的電流不再是超前于所加電壓90°的電容電流(無功電流)，而具有—些有功電流(損耗的電流)。所以介質(zhì)損耗角正切就是介質(zhì)在交流電壓下電流的有功分量與無功分量之比。在交變電場(chǎng)下快速熔斷器損耗可以分為兩部分：其一是介質(zhì)微弱的導(dǎo)電性產(chǎn)生的泄漏電流引起的能量損耗；其二是由電介質(zhì)內(nèi)部反復(fù)極化造成分子之間不斷“摩擦”引起的損耗，損耗引起介質(zhì)發(fā)熱，發(fā)熱又加速了介質(zhì)損耗。但是在介質(zhì)絕緣強(qiáng)度穩(wěn)定的情況下，給介質(zhì)施加穩(wěn)定的正弦交流電壓時(shí)這個(gè)損耗是一個(gè)較穩(wěn)定的值tgQ表示?？焖偃蹟嗥鳎嚎焖偃蹟嗥髦饕糜诎雽?dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù)。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力?？焖偃蹟嗥鞯慕Y(jié)構(gòu)和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以銀片沖制的有V形深槽的變截面熔體。自復(fù)熔斷器：采用金屬作熔體，在常溫下具有高電導(dǎo)率。當(dāng)電路發(fā)生短路故障時(shí)，短路電流產(chǎn)生高溫使鈉迅速汽化，汽態(tài)鈉呈現(xiàn)高阻態(tài)，從而限制了短路電流。當(dāng)短路電流消失后，溫度下降，金屬恢復(fù)原來的良好導(dǎo)電性能。自復(fù)熔斷器只能限制短路電流，不能真正分?jǐn)嚯娐贰Ｆ鋬?yōu)點(diǎn)是不必更換熔體，能重復(fù)使用。