描述:
BBO晶體( β相偏硼酸鋇晶體,β-BaB2O4 )是具有綜合優(yōu)良性能的非線性光學(xué)晶體,其寬透明范圍和相匹配范圍,大的非線性系數(shù),高的抗光損傷閾值、寬溫度帶寬以及優(yōu)越的光學(xué)均勻性,為各種非線性光學(xué)應(yīng)用提供了實(shí)際可能性。目前國(guó)際上主要用于將800nm左右鈦寶石激光器倍頻至400nm左右紫外光,和一些皮秒飛秒脈沖工業(yè)激光器的倍頻以及OPO系統(tǒng),電光開關(guān)等。
BBO晶體的主要特點(diǎn):
可實(shí)現(xiàn)相位匹配的波段范圍寬(409.6—3500nm);
寬透明范圍(190—3500nm);
倍頻轉(zhuǎn)換效率高(相當(dāng)于KDP晶體的6倍);
高損傷域值(100ps脈寬的1064nm 10GW/cm2);
光學(xué)均勻性好(dn10-6);
溫度接收角寬(≈55℃左右);
機(jī)械,物理性能好.
BBO晶體的產(chǎn)品規(guī)格:
尺寸公差 (W±0.1mm) x ( H±0.1mm) x (L+0.2mm/-0.1mm)
角度公差 Δθ< 0.25°, Δφ< 0.25°
平面度 λ/10 @ 633nm
波前畸變 < λ/8 @ 633nm
表面光潔度 10/5 scratch/dig
平行度 < 20 arc seconds
垂直度 < 5 arc minutes
通光孔徑 ≥中心直徑95%
倒邊 x 45°±5°chamfer
鍍膜 R < 0.2% @ 1064nm, R < 0.5% @ 532nm
損傷閾值(AR鍍膜) >0.5 GW/cm2 for 1064nm,TEM00,10ns,10HZ
>0.3 GW/cm for 532nm,TEM00,10ns,10HZ
注:福州宇晶光電可接受客戶不同尺寸規(guī)格的BBO晶體定制,也可根據(jù)客戶具體應(yīng)用需求推薦相應(yīng)的BBO晶體。