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主要特點(diǎn)
※采用高性能32位ARM Cortex-M3內(nèi)核微控制器
※標(biāo)簽識(shí)別速度 2000標(biāo)簽/秒（分時(shí)順序發(fā)送）
※標(biāo)簽讀取能力 1000 標(biāo)簽/秒 ※標(biāo)簽緩沖容量 1000標(biāo)簽（可防重讀）
※采用18dBi高增益定向天線(xiàn)
※較大讀卡距離 120米
※定向能力 30：1
※帶信號(hào)衰減器 讀卡距離可調(diào)節(jié)1-120米
產(chǎn)品概述
用高性能32位ARM Cortex-M3內(nèi)核微控制器
標(biāo)簽識(shí)別速度 2000標(biāo)簽/秒（分時(shí)順序發(fā)送）
標(biāo)簽讀取能力 1000 標(biāo)簽/秒
標(biāo)簽緩沖容量 1000標(biāo)簽（可防重讀）
采用18dBi高增益定向天線(xiàn)
較大讀卡距離120米
定向能力30：1
帶信號(hào)衰減器 讀卡距離可調(diào)節(jié)1-120米
讀卡器技術(shù)參數(shù)
處 理 器 32位ARM Cortex-M3內(nèi)核微控制器
工作主頻 72MHz
讀取能力 1000 標(biāo)簽/秒
緩沖容量 1000標(biāo)簽 （可防重讀）
讀卡距離 較大120米
衰減距離 1-120米可調(diào)節(jié)（距離誤差±15%）
電 壓 12VDC （7-12VDC）
電 流 ≤100mA
通訊接口 Wiegand 26bit 34bit 36bit 44bit
RS232 RS485 (出廠設(shè)置9600 8 N 1)
工作溫度 -40℃～ 85℃ (工業(yè)級(jí)）
存儲(chǔ)溫度 -60℃～ 85℃
工作濕度 10%～90%RH
重 量 2.65kg
外形尺寸 308x308x80mm
天線(xiàn)技術(shù)參數(shù)
頻率范圍 2.400-2.480GHz
增 益 18dBi
功率角度 水平:55°/垂直:45°
極化方式 垂直/水平
駐 波 比 ≤1.5
前 后 比 ≥24dB
輸入阻抗 50Ω
雷電保護(hù) 直流接地
抗風(fēng)能力 80m/s
安裝方式 LU碼抱桿
支 撐 桿 Ф30-Ф50
外 殼 ABS工程材料防水外殼
