8M晶振 5032 8MHZ貼片晶振 8.000MHZ 8M晶振可提供封裝 貼片式尺寸:5032 6035 7050 49SMD(分為2腳和4腳) 直插式尺寸:DIP08 DIP14 49S 206 308(亦分為2腳和4腳) 常規(guī)參數(shù)現(xiàn)貨供應(yīng),特殊參數(shù)可定制 深圳市億晶振業(yè)電子有限公司十多年的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售經(jīng)驗(yàn)。主營(yíng)產(chǎn)品：有源晶振，溫補(bǔ)晶振，溫補(bǔ)晶振TCXO，直插鐘振，貼片鐘振，直插有源晶振，貼片有源晶振，DIP08晶振，DIP14晶振，7050晶振，5032晶振，3225晶振，無(wú)源晶振，3225無(wú)源貼片晶振，5032無(wú)源貼片晶振，7050無(wú)源貼片晶振，49S晶振，49SMD晶振。工廠嚴(yán)格按照ISO9001：2000質(zhì)量管理體系，降低成本，提升品質(zhì)。 晶振小知識(shí) 晶振的匹配電容：負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。 　　1.一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮ic 輸入端的對(duì)地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來(lái)就接近負(fù)載電容了。 2.負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個(gè)測(cè)試條件，也是一個(gè)使用條件。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。 3．一般情況下，增大負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率升高 4．負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC 塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。 因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一至，不能冒然互換，否則會(huì)造成電器工作不正常。 本公司還供應(yīng)上述產(chǎn)品的同類(lèi)產(chǎn)品：8MHZ有源晶振,8MHZ直插晶振,8MHZ無(wú)源晶振