氧化鋅(ZnO)是很好的GaN薄膜襯底材料,具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見(jiàn)光發(fā)光材料.同時(shí)由于具有可見(jiàn)區(qū)透明,機(jī)電耦合系數(shù)大,能使氣體分子在其表面的吸附-解析等性質(zhì),有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑量的GaN的襯底、未來(lái)的5GHz之外的無(wú)線通信、高電場(chǎng)設(shè)備、高溫高能電子器件、高電場(chǎng)設(shè)備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應(yīng)用
本公司可根據(jù)客戶要求定制不同尺寸的ZnO晶體,并且可提供產(chǎn)品鍍膜服務(wù),具體價(jià)格請(qǐng)咨詢 victoria@meta-photonics.com
展會(huì)圖片