河南日佳加熱輥、輥感應(yīng)加熱設(shè)備公司，是國內(nèi)同行業(yè)中起步早、起點高、發(fā)展快、開發(fā)高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)型企業(yè)。因為輥感應(yīng)加熱有以下優(yōu)點：1) 非接觸式加熱，熱源和受熱物件可以不直接接2) 加熱效率高，速度快，可以減小表面氧化現(xiàn)象 3 容易控制溫度，提高加工精度 4可實現(xiàn)局部加熱5可實現(xiàn)自動化控制6可減小占地，熱輻射，噪聲和灰塵7 能量傳輸集中,升溫極快,并可在一個大型的系統(tǒng)上進行局部加熱。 由于輥感應(yīng)加熱具有以上的一些優(yōu)點，大量的工程技術(shù)人員對此進行了研究，1890年瑞典技術(shù)人員發(fā)明了臺感應(yīng)熔煉爐――開槽式有芯爐，1916年美國人發(fā)明了閉槽有芯爐，從此感應(yīng)加熱技術(shù)逐漸進入實用化階段。而后，20世紀(jì)電力電子器件和技術(shù)的飛速發(fā)展，極大的促進了感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展。 1957年，美國研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的開始。同時，也引發(fā)了感應(yīng)加熱技術(shù)的革命。1966年，瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱裝置，從此感應(yīng)加熱技術(shù)開始飛速發(fā)展。 80年代后，電力電子器件再次飛速發(fā)展，GTO，MOSFET，IGBT，MCT，SIT等器件相繼出現(xiàn)。輥感應(yīng)加熱裝置也逐漸摒棄晶閘管，開始采用這些新器件?，F(xiàn)在比較常用的是IGBT和MOSFET，IGBT用于較大功率場合，而MOSFET用于較高頻率場合。據(jù)報道，國外可以采用IGBT將感應(yīng)加熱裝置做到功率超過1000KW，頻率超過50K。而MOSFET較合適高頻場合，通常在幾千瓦的中小功率場合，頻率可達到500K以上，甚至幾M。然而國外也有推出采用MOSFET的大功率的感應(yīng)加熱裝置，比如美國研制的2000KW/400KHz的裝置。