主要功能:本設備規(guī)格書為,為了提高單晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,采用堿與醇的混合溶液對單晶硅片的各項異性腐蝕在表面形成類似“金字塔”狀的絨面,有效增強硅片對入射太陽光的吸收,從而提高光生電流密度。此方案是為了能更好的實現(xiàn)硅片表面絨面,增加其轉(zhuǎn)換效率而設計。
設備形式:室內(nèi)放置型。
設備尺寸(參考):L10000mm(長)*W1950mm(寬)*D1800mm(高)。
設備系列型號:MK-SC-DJPV-M01。
被清洗硅片尺寸:125×125×0.20mm / 156×156×0.20mm
額定功率:150kw 。
2.1 主要技術(shù)參數(shù):
(由于技術(shù)的不斷更新,以下方案允許做以提高設備性能的技術(shù)調(diào)整)
序號 工序名稱 輔助 處理液 時間 溫度 材質(zhì) 蓋 循環(huán) 抽風
1 堿制程槽 循環(huán) 加熱 鼓泡 計時 堿液 乙醇 25min 60-90℃ NPP 有 有 有
2. 堿制程槽 循環(huán) 加熱 鼓泡 計時 堿液 乙醇 25min 60-90℃ NPP 有 有 有
3 堿制程槽 循環(huán) 加熱 鼓泡 計時 堿液 乙醇 25min 60-90℃ NPP 有 有 有
4 堿制程槽 循環(huán) 加熱 鼓泡 計時 堿液 乙醇 25min 60-90℃ NPP 有 有 有
5 水清洗槽 溢流 鼓泡 DIW 1min RT NPP 無 無 無
6 水清洗槽 溢流 鼓泡 DIW 1min RT NPP 無 無 無
7 酸洗槽 浸泡腐蝕 HF HCL 4min RT NPP 有 無 有
8 階梯溢流槽 溢流 鼓泡 計時 DIW 3min 60-90℃ NPP 有 有 有
9 慢提拉脫水槽 硅片脫水 DIW 4min 60℃ NPP 無 無 有
10 出料臺面 / / / RT NPP 無 無 有
2.2 設備工作條件:(具體實際條件按照客戶提供為準)
序號 種類 規(guī)格 材質(zhì) 方式
1 電源 380V 三相 50Hz 125KW
2 高壓空氣 0.6MPa,一般為6m3/h,較大流量230L/min,進氣口徑 ≥φ10mm。 TPU軟管 內(nèi)螺紋
4 HF接口 英制1/2”,流量≥2.5 m3/h。 PFA 擴口接頭
5 HCL接口 英制1/2”,流量≥2.5m3/h。 PFA 擴口接頭
6 NaOH接口 英制1/2”,流量≥2.5m3/h。 PFA 擴口接頭
7 排 風 量 1500 m3/h,2*DN250。 PP材質(zhì) 法蘭
8 廢酸排放 9 m3/h,英制D1”*1 NPP FNPT內(nèi)螺紋接口
9 廢水排放 11 m3/h,英制D2”*3 或DN40(外徑50mm) PP 活接