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離子束系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)：
※穩(wěn)定的膜層沉積速率；化學(xué)成分穩(wěn)定
※離子束刻蝕以及反應(yīng)離子束刻蝕，可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀的刻蝕均勻性
※多種可選項(xiàng)，以適應(yīng)不同應(yīng)用要求：多種離子源可選；多種 工裝夾具可選；多種鍍膜控制方式可選；剩余氣體分析；自動化控制方式可選
離子束濺射的優(yōu)點(diǎn)：
※ 成膜粒子動能大，因此，膜層致密性好，針眼少，對環(huán)境穩(wěn)定
※ 成膜真空度高（10-4TORR），因此，膜層純度高
※ 可以提供工件預(yù)處理以提高膜層附著力
※ 獨(dú)立控制離子能量和離子束流，可以提供更大的工藝靈活性，控制成膜組分，應(yīng)力，圍觀結(jié)構(gòu)等
※ 穩(wěn)定的沉淀速率，突出的膜層厚度控制和穩(wěn)定的成膜均勻性
※ 完全的自動化控制-精確地工藝控制
傾斜式單旋轉(zhuǎn)工件盤：
※ 直徑六英寸或八英寸的工件盤可選
※ 水冷型
※ 突出的沉積和刻蝕均勻性
※ 傾斜式
可以通過調(diào)整傾斜角度得到工藝要求的臺階覆蓋率
可以通過調(diào)節(jié)調(diào)節(jié)傾斜角度進(jìn)一步提高均勻性
傾斜行星式工件盤：
※ 三個(gè)直徑六英寸的水冷型行星盤
※ 采用行星式工件盤以得到更好的均勻性
※ 突出的沉淀和刻蝕均勻性
※ 傾斜式
離子束濺射沉積源：
※ 多種型號射頻或直流離子源可選
※ 射頻（3cm,6cm）
最適合濺射工藝
污染小（無燈絲）
非常適合濺射介質(zhì)材料，可以用于濺射金屬
維護(hù)間隔時(shí)間超過200小時(shí)
※ 直流（3cm,5cm,8cm）
最適合非反應(yīng)濺射工藝
多種配置可供選擇
燈絲型：性價(jià)比高
等離子體橋狀中和器：增強(qiáng)反應(yīng)濺射工藝能力和最小維護(hù)時(shí)間間隔在25-45小時(shí)
空心陰極中和器：減小污染，維護(hù)間隔時(shí)間長達(dá)150小時(shí)
非常適合濺射金屬，可以用于濺射介質(zhì)材料
離子源柵極選項(xiàng)：
※ 材質(zhì)：
石墨：適合無反應(yīng)工藝
鉬：適合大多數(shù)反應(yīng)工藝
※ 柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)：聚焦型離子源
※ 發(fā)散型輔助或者預(yù)清洗源
※ 采用三柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)可以使濺射工藝更加穩(wěn)定
※ 四柵網(wǎng)結(jié)構(gòu)
靶材夾具：
※ 當(dāng)配置用于濺射時(shí)，配置水冷型四靶材夾具?？梢匝b最多四個(gè)直徑5英寸的靶材。
泵選項(xiàng)：
※ 機(jī)械泵：油泵/干泵
※ 高真空泵：CTI低溫冷凝泵/渦輪分子泵
終點(diǎn)控制：
※ 濺射工藝：
時(shí)間控制：通常用于簡單沉積工藝，少于20層；
石英晶體膜厚控制儀：MAXTEK260/360C，石英晶體失效情況下，采用時(shí)間控制
系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格：
· ※當(dāng)配置為離子束沉積時(shí)，最多可以安裝四個(gè)直徑5英寸靶材
· ※提供單旋轉(zhuǎn)傾斜式工裝夾具，工件尺寸6英寸或8英寸，帶水冷；
· ※為獲得更好的均勻性，提供行星式傾斜式工裝夾具，三個(gè)6英寸行星工件盤，帶水冷；
· ※可以沉積無漂移光學(xué)薄膜；
· ※可以在低于10-4 torr的真空度下沉積，提高成膜純度；
· ※配置雙離子源時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)基片預(yù)清洗，提高膜層附著力；
· ※全自動成膜工藝控制；
· ※多種Veeco公司射頻或直流離子源可供選擇；
· ※高真空低溫泵或渦輪分子泵可選；
· ※對于離子束沉積，成膜厚度控制可以采用時(shí)間控制或石英晶體膜厚控制儀控制；
※離子束沉淀適合材料：
介質(zhì)材料：SiO2,Ta2O5,Al2O3,TiO2,Si3N4等
金屬材料：W, Au, Cu, Pt, NiFe, CrCo,Si等
※IBE和RIBE適用材料：
介質(zhì)材料：Si, SiO2, Al2O3, Polyimide等
金屬材料：NiFe, Cu, Au, Al.
